一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板专利登记公告

专利名称：一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板

摘要：本发明实施例公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制作方法、显示面板，涉及薄膜晶体管及显示面板的设计和制备领域，用以降低源漏极的寄生电阻。所述非晶氧化物薄膜晶体管，在基板上包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极以及钝化保护层，并且所述半导体有源层为沟道层和欧姆接触层的双层结构，所述沟道层比所述欧姆接触层的含氧量高；另外，所述沟道层与所述栅绝缘层相贴合，所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区，且所述两个独立的欧姆接触区分别与所述源极、漏极相贴合。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110076083.9

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：刘晓娣;孙力;陈海晶

主权项：一种非晶氧化物薄膜晶体管，包括：栅极、栅绝缘层、半导体有源层、源极、漏极以及钝化保护层，其特征在于，所述半导体有源层为沟道层和欧姆接触层的双层结构，且所述沟道层比所述欧姆接触层的含氧量高；所述沟道层与所述栅绝缘层相贴合，所述欧姆接触层分为两个独立的欧姆接触区，且所述两个独立的欧姆接触区分别与所述源极、漏极相贴合。

专利地区：北京