一种C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种C/SiC陶瓷基复合材料及其制备方法

摘要：本发明公开了一种C/SiC复合材料及其制备方法。本发明所提供的C/SiC复合材料是按照包括下述步骤的方法制备得到的：采用化学气相渗透法依次在碳纤维预制体表面沉积热解碳界面层和碳化硅基体得到C/SiC复合材料；其中，所述碳化硅基体的沉积条件如下：以CH3SiCl3(MTS)为气源，H2为载气、Ar为稀释气体，在1100℃，50kPa的条件下沉积SiC?40小时；所述碳纤维预制体为2.5维(2.5D)碳纤维编织体。该材料的弯曲强度达到了213.8MPa，已满足结构材料对弯曲强度的基本要求；在室温到1200℃的

专利类型：发明专利

专利号：CN201110271349.5

专利申请（专利权）人：中国人民解放军总后勤部军需装备研究所

专利发明（设计）人：马天;严自力;高鹏刚

主权项：一种制备C/SiC复合材料的方法，包括下述步骤：采用化学气相渗透法依次在碳纤维预制体表面沉积热解碳界面层和碳化硅基体得到C/SiC复合材料；其中，所述碳化硅基体的沉积条件如下：以CH3SiCl3为气源，H2为载气、Ar为稀释气体，在1100℃，50KPa的条件下沉积SiC?40小时；所述碳纤维预制体为2.5维碳纤维编织体。

专利地区：北京