半导体压力传感器及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体压力传感器及其制造方法

摘要：本发明的目的在于提供能抑制半导体压力传感器的小型化所伴随的性能偏差的技术。一种半导体压力传感器的制造方法，在牺牲层(16)上形成层叠构造，所述层叠构造包含：多晶硅隔膜(6)，形成于应成为其下方的真空室的空间(13)侧的多晶硅应变计电阻(4b)，内包它们并具有与牺牲层(16)相接的蚀刻液导入孔(15)的绝缘膜群(3、5、7)。而且，使蚀刻液通过所述蚀刻液导入孔(15)并蚀刻牺牲层(16)，从而将层叠构造形成为在真空室上起作用的隔膜体(11)，并且通过蚀刻硅基板(1)中的第1绝缘膜(2)的第1开口(2a)下的

专利类型：发明专利

专利号：CN201110274113.7

专利申请（专利权）人：三菱电机株式会社

专利发明（设计）人：佐藤公敏

主权项：一种半导体压力传感器的制造方法，具备：(a)在半导体基板上形成具有多个第1开口的第1绝缘膜的工序；(b)在所述第1绝缘膜上，在该第1绝缘膜的所述多个第1开口内形成与所述半导体基板相接的牺牲层的工序；(c)在所述牺牲层上形成层叠构造的工序，所述层叠构造包含：多晶硅隔膜、在应成为该多晶硅隔膜的下方的真空室的空间侧形成的多晶硅应变计电阻、内包它们并具有与所述牺牲层相接的蚀刻液导入孔的绝缘膜群；以及(d)使蚀刻液通过所述蚀刻液导入孔并蚀刻所述牺牲层，从而将所述层叠构造形成为在所述真空室上起作用的隔膜体，并且通过蚀

专利地区：日本