磁性随机存取存储器及其制造方法专利登记公告

专利名称：磁性随机存取存储器及其制造方法

摘要：本发明提供磁性随机存取存储器及其制造方法。该磁性随机存取存储器具有：半导体基板；选择晶体管，其形成于所述半导体基板的表面部，具有栅电极、栅绝缘膜、源以及漏；和存储元件，其设置于所述源或所述漏上，具有磁化的方向可变的磁化存储层、磁化的方向固定的磁性参照层以及设置于所述磁化存储层与所述磁性参照层之间的非磁性层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110274938.9

专利申请（专利权）人：株式会社东芝

专利发明（设计）人：野町映子

主权项：一种磁性随机存取存储器，其中，具有：半导体基板；选择晶体管，其形成于所述半导体基板的表面部，具有栅电极、栅绝缘膜、源以及漏；和存储元件，其设置于所述源或所述漏上，具有磁化的方向可变的磁化存储层、磁化的方向固定的磁性参照层以及设置于所述磁化存储层与所述磁性参照层之间的非磁性层。

专利地区：日本