半导体存储装置以及解码方法专利登记公告

专利名称：半导体存储装置以及解码方法

摘要：本发明提供一种半导体存储装置以及解码方法，存储卡通过使用基于八个阈值电压分布的概率的反复计算对存储在一个存储单元中的、作为读取单位的页不同的3位数据进行解码。存储卡具有：字线控制部(21)，其进行如下控制：选择包括用于硬位读取的七个基准电压以及用于软位读取的多个中间电压的七组电压组中、属于读取页的1位数据的读取所需的电压组，将所选择的上述电压组的电压作为读取电压施加到上述存储单元；对数似然比表存储部；以及解码器，其使用对数似然比对读取到的数据进行解码。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110276134.2

专利申请（专利权）人：株式会社 东芝

专利发明（设计）人：樱田 健次;内川 浩典

主权项：一种半导体存储装置，通过使用基于2N个阈值电压分布的概率的反复计算对存储在一个存储单元的、作为读取单位的页不同的N位的数据进行解码，其中上述N是2以上的自然数，其特征在于，具有：字线控制部，其进行如下控制：选择(2N?1)组电压组中、属于读取页的1位数据的读取所需的上述电压组，将所选择的上述电压组的电压作为读取电压施加到上述存储单元，上述(2N?1)组电压组包括：用于硬位读取的(2N?1)个基准电压的各个；以及用于软位读取的、包括低于各个上述基准电压的电压以及高于各个上述基准电压的电压的多个中间电压；对数

专利地区：日本