垂直式发光二极管及其制造方法专利登记公告

专利名称：垂直式发光二极管及其制造方法

摘要：本发明提供一种垂直式发光二极管的制造方法，其包括下列步骤：提供一衬底；于衬底上形成一半导体层，该半导体层是具有以第II至VI族元素所构成的化合物；形成一金属反射层，使其与半导体层相互结合；形成至少一中间层及至少一类钻碳层；形成一复合材料层；移除衬底；以及形成一第一电极层及一第二电极层，其分别设置于半导体层及复合材料层的一侧；其中，至少一中间层及至少一类钻碳层是以叠层的方式相互堆叠于金属反射层的一侧。本发明亦提供一种依前述制造方法制得的垂直式发光二极管。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110281347.4

专利申请（专利权）人：铼钻科技股份有限公司

专利发明（设计）人：宋健民;甘明吉;林逸樵;胡绍中

主权项：一种垂直式发光二极管的制造方法，其包括下列步骤：提供一衬底；于该衬底上形成一半导体层，该半导体层具有以第II至VI族元素所构成的化合物；形成一金属反射层，使其与该半导体层相互结合；形成至少一中间层及至少一类钻碳层；形成一复合材料层；移除该衬底；以及形成一第一电极层及一第二电极层，其分别设置于该半导体层及该复合材料层的一侧；其中，该至少一中间层及该至少一类钻碳层是以叠层的方式相互堆叠于该金属反射层的一侧。

专利地区：台湾