一种磁光双功能同轴纳米电缆及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种磁光双功能同轴纳米电缆及其制备方法

摘要：本发明涉及一种磁光双功能同轴纳米电缆及其制备方法，属于纳米材料制备技术领域。本发明包括四个步骤：(1)沉淀法制备Fe3O4纳米晶；(2)沉淀法制备Eu(BA)3phen配合物；(3)配制纺丝液，以Fe3O4纳米晶、聚乙烯吡咯烷酮PVP、N，N-二甲基甲酰胺DMF和去离子水的混合液为芯层纺丝液，以Eu(BA)3phen配合物、PVP、DMF和氯仿CHCl3的混合液为壳层纺丝液；(4)制备(Fe3O4+PVP)@[Eu(BA)3phen+PVP]磁光双功能同轴纳米电缆，采用同轴静电纺丝技术，参数为：电压15k

专利类型：发明专利

专利号：CN201110284141.7

专利申请（专利权）人：长春理工大学

专利发明（设计）人：董相廷;马千里;王进贤;于文生;刘桂霞

主权项：一种磁光双功能同轴纳米电缆，其特征在于，电缆直径为264?331nm，芯层直径为112?151nm，壳层厚度为76?90nm，长度大于500μm。

专利地区：吉林