各向异性导电构件专利登记公告

专利名称：各向异性导电构件

摘要：本发明提供一种各向异性导电构件，所述各向异性导电构件包含绝缘基材，所述绝缘基材具有贯通微孔和导电通路，所述导电通路通过用导电材料填充贯通微孔形成，彼此绝缘，并且在所述绝缘基材的厚度方向上贯通所述绝缘基材，所述导电通路的每一个的一端暴露在所述绝缘基材的一侧上，所述导电通路的每一个的另一端暴露在所述绝缘基材的另一侧上。该绝缘基材是由铝基板获得的阳极氧化膜，并且所述铝基板以至多100pcs/mm2的密度含有平均等价圆直径至多2μm的金属间化合物。该各向异性导电构件显著地增加了所设置的导电通路的密度，并且抑制了不

专利类型：发明专利

专利号：CN201110286748.9

专利申请（专利权）人：富士胶片株式会社

专利发明（设计）人：山下广祐;堀田吉则;上杉彰男

主权项：一种各向异性导电构件，所述各向异性导电构件包括：绝缘基材，所述绝缘基材具有贯通微孔和多个导电通路，所述导电通路通过用导电材料填充所述贯通微孔形成，彼此绝缘，并且在所述绝缘基材的厚度方向上贯通所述绝缘基材，所述导电通路的每一个的一端暴露在所述绝缘基材的一侧上，所述导电通路的每一个的另一端暴露在所述绝缘基材的另一侧上，其中所述绝缘基材是由铝基板获得的阳极氧化膜，并且所述铝基板以至多100pcs/mm2的密度含有平均等价圆直径至多2μm的金属间化合物。

专利地区：日本