负磁导率超材料专利登记公告

专利名称：负磁导率超材料

摘要：本发明涉及一种负磁导率超材料，包括非金属材料制成的基板和附着在基板上且成周期性排布的多个人造微结构，所述人造微结构为导电材料的丝线，所述人造微结构包括开口环和自所述开口环的两端端点分别向环内蛇形弯曲延伸的两根弯曲线，所述两弯曲线互不相交且不与所述开口环相交。采用本发明的人造微结构，能够明显提高超材料的负磁导率的绝对值，从而强化负磁导率效果，以满足特定条件下对负磁导率值的要求。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110298066.X

专利申请（专利权）人：深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司

专利发明（设计）人：刘若鹏;栾琳;寇超锋;何嘉威

主权项：一种负磁导率超材料，包括非金属材料制成的基板和附着在基板上且成周期性排布的多个人造微结构，所述人造微结构为导电材料的丝线，其特征在于，所述人造微结构包括开口环和自所述开口环的两端端点分别向环内蛇形弯曲延伸的两根弯曲线，所述两弯曲线互不相交且不与所述开口环相交。

专利地区：广东