硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件专利登记公告
专利名称:硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件
摘要:本发明提供了一种硬掩模组合物,其包含由以下化学式1表示的含芳环化合物和溶剂,在化学式1中,A、R1至R6、X1至X6、n1至n6均与说明书中具体定义的相同。本发明还提供了一种通过使用该硬掩模组合物来形成图案的方法和包括通过该图案形成方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。本发明的硬掩模组合物能够在确保对多重蚀刻的抗性的同时,具有高蚀刻选择性和改善的光学性能。
专利类型:发明专利
专利号:CN201110304927.0
专利申请(专利权)人:第一毛织株式会社
专利发明(设计)人:宋知胤;金旼秀;田桓承;吴丞培;崔有廷
主权项:一种硬掩模组合物,包含:由以下化学式1表示的含芳环化合物和溶剂:[化学式1]在化学式1中,A是取代的或未取代的芳环基团,R1至R6各自独立地是取代或未取代的C1至C20烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C3至C30环烯基、取代或未取代的C7至C20芳烷基、取代或未取代的C1至C20杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C2至C30杂芳基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的C2至C30炔基、取代或未取代的C1至C30烷氧基、
专利地区:韩国
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目,不代表该专利由我公司代理取得,上述专利权利属于专利权人,未经(专利权人)许可,擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利,请搜索专利权人联系方式,获得专利权人的授权许可。