背面照射型固体拍摄装置及其制造方法专利登记公告

专利名称：背面照射型固体拍摄装置及其制造方法

摘要：根据一实施例，背面照射型固体拍摄装置包括：半导体基板，其具有第1导电型；阱区域，其配置在上述半导体基板的表面侧，且具有第1导电型；多个光电二极管，其配置在上述阱区域内，且具有第2导电型；扩散层，其配置在上述多个光电二极管之间，并向上述阱区域提供电位，且具有第1导电型；溢漏层，其配置在上述半导体基板的背面侧，且具有第2导电型；溢漏电极，其从上述半导体基板的表面侧延伸至上述溢漏层，从上述半导体基板的表面侧向上述溢漏层提供偏置电位；以及布线层，其配置在上述半导体基板的表面上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110316954.X

专利申请（专利权）人：株式会社东芝

专利发明（设计）人：佐藤麻纪

主权项：一种背面照射型固体拍摄装置，包括：半导体基板，其具有第1导电型；阱区域，其配置在上述半导体基板的表面侧，且具有第1导电型；多个光电二极管，其配置在上述阱区域内，且具有第2导电型；扩散层，其配置在上述多个光电二极管之间，并向上述阱区域提供电位，且具有第1导电型；溢漏层，其配置在上述半导体基板的背面侧，且具有第2导电型；溢漏电极，其从上述半导体基板的表面侧延伸至上述溢漏层，从上述半导体基板的表面侧向上述溢漏层提供偏置电位；以及布线层，其配置在上述半导体基板的表面上。

专利地区：日本