用于单图案化间隔件技术的RC提取专利登记公告

专利名称：用于单图案化间隔件技术的RC提取

摘要：本发明提供一种方法，包括利用电子设计自动化工具执行布局布线操作，以形成将被用于形成半导体器件的电路图案的光掩模的最初布局。布局布线操作由多个单图案化间隔件技术(SPST)布线规则规范。在利用RC提取工具的EDA工具中模拟虚拟导电填充图案，以预测将被添加至光掩模的最初布局中的虚拟导电填充图案的位置和尺寸。基于最初布局和模拟的虚拟导电填充图案，在EDA工具中执行电路图案的RC时序分析。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110325769.7

专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司

专利发明（设计）人：黄正仪;赵孝蜀;郑仪侃

主权项：一种方法，包括：利用布局布线电子设计自动化(EDA)工具执行布局布线操作，以形成将被用于形成半导体器件的电路图案的光掩模的最初布局，所述布局布线操作通过多个单图案化间隔件技术(SPST)布线规则规范；利用所述布局布线EDA工具中的RC提取工具模拟虚拟导电填充图案，以预测将要被添加至所述光掩模的所述最初布局中的虚拟导电填充图案的位置和尺寸；以及在所述布局布线EDA工具中执行所述电路图案的RC时序分析，基于所述最初布局和所述模拟的虚拟导电填充图案，执行所述RC时序分析。

专利地区：台湾