一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法专利登记公告

专利名称：一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲苯磺酸盐晶体生长过程中出现杂晶的方法

摘要：本发明涉及一种抑制4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐(DAST)晶体生长过程中出现杂晶的方法，属于晶体生长领域。在生长DAST晶体的过程中，向生长溶液内添加比表面积为200~1000m2/g的颗粒状或柱状活性炭作为吸附剂。活性炭颗粒的加入可以拓宽DAST晶体生长溶液的亚稳相区间，减少微晶的聚集趋势，提高生长溶液的稳定性。本发明所采用的方法比较简单，便于操作，可以有效抑制或延缓DAST晶体生长溶液中出现杂晶，起到调节晶体生长速率、改善晶体生长习性的作用；而且能够在生长过程中降低晶体内部的缺

专利类型：发明专利

专利号：CN201110350938.2

专利申请（专利权）人：中国科学院福建物质结构研究所

专利发明（设计）人：罗军华;孙志华;陈天亮;洪茂椿

主权项：一种4?(4?二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶对甲基苯磺酸盐晶体的生长方法，其特征在于：在晶体的生长过程中，采用活性炭颗粒作为吸附剂。

专利地区：福建