半导体装置以及制造半导体装置的方法专利登记公告

专利名称：半导体装置以及制造半导体装置的方法

摘要：本发明提供一种半导体装置以及制造半导体装置的方法，该半导体装置包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；栅槽，通过去除所述第二半导体层的至少一部分而形成；绝缘膜，形成在所述栅槽和所述第二半导体层上；栅极，经由所述绝缘膜而形成在所述栅槽上；源极和漏极，形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层之一上；以及含氟区域，形成在与形成所述栅槽的区域相对应的所述第一半导体层的一部分、以及与形成所述栅槽的区域相对应的所述第二半导体层的一部分的至少之一中。根据本发明的半导体装置可获得常关特性

专利类型：发明专利

专利号：CN201110352602.X

专利申请（专利权）人：富士通株式会社

专利发明（设计）人：多木俊裕;远藤浩

主权项：一种半导体装置，包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；栅槽，通过去除所述第二半导体层的至少一部分而形成；绝缘膜，形成在所述栅槽和所述第二半导体层上；栅极，经由所述绝缘膜而形成在所述栅槽上；源极和漏极，形成在所述第一半导体层和所述第二半导体层之一上；以及含氟区域，形成在与形成所述栅槽的区域相对应的所述第一半导体层的一部分、以及与形成所述栅槽的区域相对应的所述第二半导体层的一部分的至少之一中。

专利地区：日本