形成超低介电层用模板衍生物及其形成超低介电层的方法专利登记公告
专利名称：形成超低介电层用模板衍生物及其形成超低介电层的方法
摘要：将反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物用作用于形成超低介电层的模板衍生物。由其末端含有Si-H的反应性环糊精衍生物或反应性葡萄糖衍生物形成层，然后将所述层在过氧化氢气氛中固化以形成超低介电层。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110359388.0
专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司
专利发明（设计）人：闵成圭;具滋春;安尚太;丁彩吾;安贤珠;李孝硕;金银贞;金赞培
主权项：一种用于形成超低介电层的模板衍生物，其由通过下式表示的葡萄糖衍生物构成：其中，在所述式中，R表示(CH2)n?SiH3，n表示1?3的整数。FDA0000108023640000011.tif
专利地区：韩国
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