具有高形状各向异性的XMR传感器专利登记公告

专利名称：具有高形状各向异性的XMR传感器

摘要：本发明涉及具有高形状各向异性的XMR传感器。实施例涉及具有非常高的形状各向异性的xMR传感器。实施例还涉及xMR堆叠的新颖构造过程，其用于实现非常高的形状各向异性而不对性能相关的磁场敏感层系统造成化学影响，同时还在晶片上提供相当一致的结构宽度，所述宽度在实施例中低至约100nm。实施例还可以提供xMR堆叠，其具有所定义横向几何形状和/或平滑的性能相关自由层系统的侧壁，这对于在晶片上实现均匀的磁特性是重要的。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110360959.2

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：O.屈恩;K.普罗伊格尔;R.施莱德茨;A.斯特拉泽;N.泰森;J.齐梅尔

主权项：一种磁阻传感器元件，包括：第一磁阻堆叠部分，其包括自由层并且具有第一、第二、第三和第四侧边；和第二磁阻堆叠部分，其耦合到所述第一磁阻堆叠部分并且具有与所述第一、第二、第三和第四侧边均不齐平的第五、第六、第七和第八侧边。

专利地区：德国