半导体集成电路及其操作方法专利登记公告

专利名称：半导体集成电路及其操作方法

摘要：本发明涉及一种半导体集成电路及其操作方法，该集成电路装配有接收混频器和信号发生器。多级延迟电路响应于接收载波信号而生成多个时钟脉冲。相位检测单元检测在特定时钟脉冲的电压电平与先于特定时钟脉冲而生成的预定数量的时钟脉冲的电压电平之间的差异，从而检测出特定时钟脉冲的预定相位。时钟发生单元的选择器从时钟脉冲信号中输出分别具有多种相位的多个选择时钟脉冲信号。第一时钟合成逻辑单路对选择时钟脉冲执行逻辑运算，从而生成被供应给接收混频器的本地信号。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110361324.4

专利申请（专利权）人：瑞萨电子株式会社

专利发明（设计）人：元泽笃史;塚本隆幸;松浦达治;奥田裕一

主权项：一种半导体集成电路，包括：接收混频器；以及生成被供应给所述接收混频器的本地信号的信号发生器，其中所述接收混频器被供应以RF接收信号和所述本地信号，从而生成接收混频器输出信号，其中所述信号发生器包括多级延迟电路、相位检测单元和时钟发生单元，其中所述多级延迟电路响应于在所述RF接收信号中所包含的载波信号而生成包括相位时序彼此相差预定的延迟时间的多个时钟脉冲信号的脉冲序列，其中所述相位检测单元检测产生于由所述多级延迟电路所生成的所述脉冲序列中的特定时钟脉冲信号的电压电平与先于所述特定时钟脉冲信号而产生的预定数量

专利地区：日本