金属In填充MgO纳米管及其制造方法和应用专利登记公告

专利名称：金属In填充MgO纳米管及其制造方法和应用

摘要：本发明涉及一种金属In填充MgO纳米管温度控制器件，该器件主要由大量的In填充MgO纳米管压制而成。在温度大于150℃时，该器件的电阻由最大值猛然降低到最小值，通过检测电流，从而达到温度控制的目的；该器件的研制包括大量金属In填充MgO纳米管的制备以及对其压片。该器件对NdFeB等磁性材料做成的器件可进行温度控制，提高器件的使用寿命。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110363603.4

专利申请（专利权）人：华中科技大学

专利发明（设计）人：高义华;傅琰;孙敏

主权项：一种金属In填充MgO纳米管的制备方法，包括如下步骤：(1)按一定比例分别称取In2O3粉与Mg粉，混合均匀；(2)将以上混合物放入石墨坩埚，再将该石墨坩埚放进垂直射频感应炉中，并抽真空；(3)向所述垂直射频感应炉中充入载气，并设定加热温度为1200～1400℃，进行加热；(4)加热一定时间后，关闭垂直射频感应炉，停止通气，待炉内温度降至室温后取出石墨坩埚，即可获得金属In填充MgO纳米管粉末。

专利地区：湖北