一种基于MOS管的高重频、低功耗双开关栅控行波管调制器的实现方法专利登记公告

专利名称：一种基于MOS管的高重频、低功耗双开关栅控行波管调制器的实现方法

摘要：本发明涉及一种基于MOS管的高重频、低功耗双开关栅控行波管调制器的实现方法，在传统的双开关栅控调制器电路中，利用高频开关特性好的高反压MOS管作为开关器件，使得调制器在窄脉冲输出时有较好的脉冲前沿；改变了传统的通过“起始”、“截尾”开关管短时间直通形成“对拉”状态以减少栅调脉冲后沿时间的方式，极大地降低了调制器开关管上的损耗，使其在极高的重复频率下能稳定、可靠工作；单只高反压MOS管基本适应耐压要求，省去均压电路和隔离驱动电路使电路简化；设置了保护行波管电路，防止在“起始”开关管击穿时，正偏压一直加在行波

专利类型：发明专利

专利号：CN201110367107.6

专利申请（专利权）人：中国船舶重工集团公司第七二四研究所

专利发明（设计）人：崔海安;杨钰辉

主权项：一种基于MOS管的高重频、低功耗双开关栅控行波管调制器的实现方法，其特征在于：采用高反压MOS管作为开关器件，提高开关速度，简化电路；通过改进“起始”、“截尾”管的连接形式，使调制器不存直通损耗。

专利地区：江苏