基于BST薄膜移相器的可扫描端射阵列天线专利登记公告

专利名称：基于BST薄膜移相器的可扫描端射阵列天线

摘要：本发明公开了一种基于BST薄膜移相器的可扫描端射阵列天线，包括一个长方形介质基片，介质基片的上、下表面分别沉积有导电薄膜层，上表面沉积的导电薄膜层左端为一个微带结构的馈端，馈端通过微带线构成一个1∶4微带功分器；微带功分器的四个输出端后分别沉积了一块BST薄膜层于介质基片上作为移相器区域；移相器区域由BST薄膜及导电薄膜沉积出的共面波导构成，共面波导中心导线的两侧均匀分布若干个突起电极，每个突起电极的末端与接地线之间加载一个叉指可变电容。本发明具有体积小、便于共形、成本低廉、控制简单等优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110370892.0

专利申请（专利权）人：中国科学院合肥物质科学研究院

专利发明（设计）人：吴大俊;戴建明;陶兴东;张伟杰;孙玉平

主权项：一种基于BST薄膜移相器的可扫描端射阵列天线，包括一个长方形介质基片，其特征在于：所述介质基片的上、下表面分别沉积有导电薄膜层，所述上表面沉积的导电薄膜层左端为一个微带馈端，所述馈端通过微带线构成一个1：4微带功分器；所述的微带功分器的四个输出端后分别沉积了一块BST薄膜层于介质基片上作为移相器区域；所述移相器区域由导电薄膜沉积出的共面波导结构构成，所述共面波导的中心导线两侧均匀分布若干个突起电极，所述每个突起电极的末端与两侧地线之间加载一个叉指结构或三明治结构的可变电容，构成移相器；所述的每个BST薄膜

专利地区：安徽