一种高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料及其制备方法

摘要：本发明属于软磁MnZn铁氧体材料领域，具体涉及一种高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料，由主成分和副成分组成，其中，主成分及含量以氧化物计算为：Fe2O360～68mol%、ZnO10～20mol％和MnO余量；按主成分总重量计的副成分为：SiO250～200ppm、CaCO3200～1500ppm、ZrO250～500ppm、Nb2O550～500ppm和V2O550～500ppm。本发明还提供了所述的铁氧体材料的制备方法。本发明解决了现有的软磁铁氧体材料往往不能把低损耗和高饱和磁通密度结合在一起的缺点，实

专利类型：发明专利

专利号：CN201110375322.0

专利申请（专利权）人：横店集团东磁股份有限公司

专利发明（设计）人：颜冲;吕东华;雷国莉;何俊;王素平;郭晓东

主权项：?一种高饱和磁通密度MnZn铁氧体材料，由主成分和副成分组成，其特征在于，主成分及含量以氧化物计算为：Fe2O3?60～68mol%、ZnO?10～20mol％和MnO余量；按主成分总重量计的副成分为：SiO2?50～200ppm、CaCO3?200～1500ppm、ZrO2?50～500ppm、Nb2O5?50～500ppm和V2O5?50～500ppm。

专利地区：浙江