一种无压烧结合成高纯度Ti₃SiC₂粉体的方法专利登记公告

专利名称：一种无压烧结合成高纯度Ti₃SiC₂粉体的方法

摘要：本发明公开了一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法，步骤为：（1）在容器中加入Ti、Si、C和Al单质粉末，加入酒精，控温70℃，加热搅拌1h以上，直至酒精蒸发干净，得剩余粉末；其中，Ti、Si、C和Al的摩尔比为3:1:2:0.1；（2）转剩余粉末至管式炉，在氩气气氛下，1420℃烧结2~2.5h，自然降温，得到Ti3SiC2粉体。本发明以Ti、Si、C、Al等单质为原料，通过优化混合方式，采用无压烧结方法在1420℃及氩气保护下合成了高纯度（96.7%）Ti3SiC2粉末，具有很好的实用性，有

专利类型：发明专利

专利号：CN201110384264.8

专利申请（专利权）人：镇江中孚复合材料有限公司

专利发明（设计）人：李长生;杨锋;唐华

主权项：一种无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体的方法，其特征在于，步骤如下：（1）在容器中加入Ti、Si、C和Al单质粉末，加入酒精，控温70℃，加热搅拌1h以上，直至酒精蒸发干净，得剩余粉末；其中，Ti、Si、C和Al的摩尔比为3:1:2:0.1；（2）转剩余粉末至管式炉，在氩气气氛下，1420℃烧结2~2.5h，自然降温，得到Ti3SiC2粉体。

专利地区：江苏