一种发光颜色可调的半导体发光材料及制备方法专利登记公告
专利名称：一种发光颜色可调的半导体发光材料及制备方法
摘要：一种发光颜色可调的半导体发光材料，为掺杂ZnO/纯ZnO核壳结构，以掺杂ZnO为内核，纯ZnO包覆于掺杂ZnO核的表面形成壳层，在纯ZnO壳层中包含有由于自纯化效应自内核扩散至壳层的掺杂离子，掺杂ZnO内核的大小为15nm，纯ZnO壳层的厚度为3-5nm。本发明的优点是：该发光颜色可调的半导体发光材料为掺杂ZnO/纯ZnO核壳结构，表面纯ZnO的包覆克服了掺杂半导体的自纯化效应，提高了掺杂效率；实现了纯ZnO与掺杂ZnO的结合，丰富了能级分布，可通过改变激发波长调节材料的发光颜色；此外这种发光材料采用溶液
专利类型：发明专利
专利号：CN201110384847.0
专利申请（专利权）人：天津理工大学
专利发明（设计）人：徐建萍;李美惠;李岚;张晓松;吴燕宇;罗程远;李萍;牛喜平
主权项：一种发光颜色可调的半导体发光材料，其特征在于：为掺杂ZnO/纯ZnO核壳结构，以掺杂ZnO为内核，纯ZnO包覆于掺杂ZnO核的表面形成壳层，在纯ZnO壳层中包含有由于自纯化效应自内核扩散至壳层的掺杂离子。
专利地区：天津
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