使用附近的单元来提供磁存储器阵列中的场辅助切换专利登记公告

专利名称：使用附近的单元来提供磁存储器阵列中的场辅助切换

摘要：本发明公开了使用附近的单元来提供磁存储器阵列中的场辅助切换的技术。用于将数据写入诸如自旋扭矩转移随机存取存储器(STRAM)存储单元之类的磁存储单元的方法和装置。根据各种实施例，施加写入电流通过所选择的磁性存储器单元，以发起该所选择的单元至期望磁状态的磁旋进。同时有场辅助电流流经相邻的存储器单元来产生磁场，所述磁场辅助所选择单元至期望磁状态的旋进。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110386400.7

专利申请（专利权）人：希捷科技有限公司

专利发明（设计）人：A·K·勒洛夫斯;习海文

主权项：一种方法，包括：施加写入电流通过所选择的磁存储单元以发起该所选择的单元至期望磁状态的磁旋进；以及同时地流动场辅助电流通过相邻的存储器单元来产生磁场，所述磁场辅助所选择单元至期望磁状态的所述旋进。

专利地区：美国