一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件专利登记公告

专利名称：一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件

摘要：本发明公开了一种高驱动电流的III-V族金属氧化物半导体器件，包括：一单晶衬底；一在该单晶衬底上表面形成的缓冲层；一在该缓冲层上表面形成的量子阱底部势垒层；一在该量子阱底部势垒层中形成的平面掺杂层；一在该量子阱底部势垒层上表面形成的高迁移率量子阱沟道；一在该高迁移率量子阱沟道上表面形成的界面控制层；一在该界面控制层上表面形成的高K栅介质和抬高源漏层；一在该高K栅介质上形成的金属栅结构；以及一在该抬高源漏层上形成的源漏接触金属层。本发明利用界面控制层技术钝化MOS界面处的悬挂键，实现低界面态密度，并降低沟道

专利类型：发明专利

专利号：CN201110387996.2

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：刘洪刚;常虎东;卢力;薛百清;王虹;孙兵

主权项：一种高驱动电流的III?V族金属氧化物半导体器件，其特征在于，包括：一单晶衬底(101)；一在该单晶衬底(101)上表面形成的缓冲层(102)；一在该缓冲层(102)上表面形成的量子阱底部势垒层(103)；一在该量子阱底部势垒层(103)中形成的平面掺杂层(104)；一在该量子阱底部势垒层(103)上表面形成的高迁移率量子阱沟道(105)；一在该高迁移率量子阱沟道(105)上表面形成的界面控制层(106)；一在该界面控制层(106)上表面形成的高K栅介质(107)和抬高源漏层(108)；一在该高K栅介质(

专利地区：北京