相变存储器的写均衡方法专利登记公告

专利名称：相变存储器的写均衡方法

摘要：本发明提供一种相变存储器的写均衡方法，包括：将一个大容量的相变存储系统分成多个存储区域，每个区域包含多个存储阵列，每个阵列又包含多个存储行，每个存储行由多个字节组成，而且在同一个区域，文件数据以条带化方法存储以增加数据地址映射的散化度，阵列内部用邻行拷贝算法进行写均衡即维护一个空白行指针，将与该指针相邻的上一行的有效数据拷贝到该指针所指向位置，以此达到这两个存储行的写均衡，而所有阵列的空白行以隔行映射的方式映射到特殊阵列上，以提高特殊阵列的散化度。本发明能加大数据地址映射的散化度，更有效地抵御重复写相同存

专利类型：发明专利

专利号：CN201110391502.8

专利申请（专利权）人：华中科技大学

专利发明（设计）人：周功业;谢雅旋;章征海;陈进才

主权项：一种相变存储器的写均衡方法，包括以下步骤：(1)对相变存储器进行初始化操作：将所述相变存储器划分为m个区域，每个区域包括n个阵列，每个阵列包括N个有效行和1个特殊行，每个所述有效行和所述特殊行均包括b个字节，前m?1个区域为非特殊区域，第m个区域设置为特殊区域，并包括一个特殊阵列和多个冗余阵列，所述阵列的有效行和所述特殊行的地址均包括三元组(r，l，a)，其中r为区域号，l为行号，a为区域内的阵列号，所述阵列在所述相变存储器中的阵列编号U＝r*m+a?l，设置下列参数：所述区域的阵列映射表、所述阵列的随机

专利地区：湖北