低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法专利登记公告

专利名称：低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法

摘要：本发明涉及一种低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，包括以下步骤：首先清洗基底，运用溅射工艺在玻璃基底表面溅射一定厚度的锌膜；将分析纯氨水溶液无需稀释，或与水体积比为1∶10范围内，得到氨水浓度为2.5-2.8％，放置于密闭容器中作为熏蒸源；将溅射有锌膜的基底，有锌膜一面朝下固定于氨水溶液上方，不接触液面，容器封口，置于烘箱中加热，温度50-90℃，反应时间控制在6-12小时之间；最后，通过高温下氨水蒸发产生的氨气与基底表面的锌薄膜反应得到较均匀的ZnO纳米线阵列结构。本发明优点在于步骤简单，反应温度低，

专利类型：发明专利

专利号：CN201110400627.2

专利申请（专利权）人：上海交通大学

专利发明（设计）人：张亚非;张耀中;张竞;耿会娟;陆霁云

主权项：一种低温蒸汽中ZnO纳米棒阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，超声清洗普通基底，然后吹干表面以备使用；步骤2，使用射频溅射的方法在步骤1得到的基底表面溅射一定厚度的锌膜；步骤3，在密封性、耐热性和抗压性较好的容器中放入氨水溶液；步骤4，将步骤2中得到的基底固定在氨水溶液的上方，其中，有锌膜一面朝上，其另一面不接触液面，置于烘箱中加热；步骤5，加热一段时间后取出基底，其表面既得氧化锌纳米阵列。

专利地区：上海