非相邻垂直共振腔耦合结构专利登记公告

专利名称：非相邻垂直共振腔耦合结构

摘要：本发明公开了一种非相邻垂直共振腔耦合结构及其制造方法。该非相邻垂直共振腔耦合结构至少包括：第一与第二共振腔、介质材料层、至少一第一与第二高频传输线以及至少一连通柱。第一与第二共振腔分别具有彼此相对的第一与第二金属表面，其中第一与第二共振腔的各第二金属表面彼此相对配置。介质材料层位在第一与第二共振腔的各第二金属表面之间。第一高频传输线配置在对应该第一共振腔的第一表面的其中一侧边缘，并且第二高频传输线配置在对应第二共振腔的第一表面的其中一侧边缘，连通柱则垂直地连接该第一与该第二高频传输线。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110402345.6

专利申请（专利权）人：财团法人工业技术研究院

专利发明（设计）人：庄嘉成;吴瑞北;沈泽旻

主权项：一种非相邻垂直共振腔耦合结构，至少包括：第一共振腔，至少一侧边为第一弯折延伸结构，并且该第一弯折延伸结构具有槽孔；以及第二共振腔，与该第一共振腔不相邻，其中与该第一共振腔的该第一弯折延伸结构相对的一侧更具有槽孔，藉以电学连接。

专利地区：台湾