半导体发光元件专利登记公告

专利名称：半导体发光元件

摘要：本发明提供了一种半导体发光元件，其包括：包括第一导电型层、第二导电型层、以及介于所述第一导电型层和所述第二导电型层之间的发光层的半导体多层结构；形成在所述第二导电型层上的第一透明电极；形成在所述第一透明电极上并且包括小于所述第一透明电极的面积的反射层；形成在所述第一透明电极上以覆盖所述反射层的第二透明电极；以及形成在所述第二透明电极上并在所述反射层上方的区域中的垫电极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110402374.2

专利申请（专利权）人：丰田合成株式会社

专利发明（设计）人：出口将士

主权项：一种半导体发光元件，包括：包括第一导电型层、第二导电型层、以及介于所述第一导电型层和所述第二导电型层之间的发光层的半导体多层结构；形成在所述第二导电型层上的第一透明电极；形成在所述第一透明电极上并且包括小于所述第一透明电极的面积的反射层；形成在所述第一透明电极上以覆盖所述反射层的第二透明电极；以及形成在所述第二透明电极上并在所述反射层上方的区域中的垫电极。

专利地区：日本