高功率腔内倍频半导体薄片激光器专利登记公告

专利名称：高功率腔内倍频半导体薄片激光器

摘要：本发明涉及高功率腔内倍频半导体薄片激光器，属于半导体激光器技术领域。本发明采用散热窗口改善激光器的热效应，用滤波装置稳定基频光频率，压窄基频光线宽，提高腔内倍频效率。抽运光经准直聚焦后作用在半导体薄片增益介质(4)上，半导体薄片增益介质上键合了一块高热导率且对抽运光和激光都透明的散热窗口(5)。增益介质中的光生载流子在量子阱(14)中发生受激辐射，由后端镜(8)、输出耦合镜(7)、及半导体薄片增益介质底部的布拉格反射镜(16)构成激光腔产生基频激光，由非线性晶体(10)产生倍频激光(11)，其特征在于：激

专利类型：发明专利

专利号：CN201110404618.0

专利申请（专利权）人：北京工业大学

专利发明（设计）人：宋晏蓉;张鹏;张晓;于振华;田金荣

主权项：高功率腔内倍频半导体薄片激光器，包括抽运光源(1)、准直透镜(2)、聚焦透镜(3)、半导体薄片增益介质(4)、散热窗口(5)、热沉(6)、输出耦合镜(7)、后端反射镜(8)或者半导体可饱和吸收镜、及非线性晶体(10)；抽运光经准直聚焦后作用在半导体薄片增益介质(4)上，半导体薄片增益介质之上键合了一块散热窗口；散热窗口之下是增益介质(4)，增益介质(4)依次包括防氧化保护层(12)、载流子限制层(13)、10?20对半导体量子阱层(14)与量子阱势垒层(15)构成的周期谐振结构、周期谐振结构之下是布拉格反

专利地区：北京