半导体装置、其制造方法以及电子设备专利登记公告

专利名称：半导体装置、其制造方法以及电子设备

摘要：本发明涉及半导体装置、其制造方法以及电子设备，所述半导体装置例如配置为背照射型固体摄像装置并包括：层叠半导体芯片，其通过将两个以上半导体芯片单元彼此接合而形成，并且其中，至少在第一半导体芯片单元中形成有像素阵列和多层布线层，并且在第二半导体芯片单元中形成有逻辑电路和多层布线层；半导体除去区，其中，第一半导体芯片单元的一部分的半导体部被全部除去；以及多个连接布线，它们形成于半导体除去区中，并且将第一半导体芯片单元和第二半导体芯片单元彼此连接。本发明可减小寄生电容，因此，可提供高性能的半导体装置及电子设备。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110404627.X

专利申请（专利权）人：索尼公司

专利发明（设计）人：糸长总一郎;堀池真知子

主权项：一种半导体装置，其配置为背照射型固体摄像装置并包括：层叠半导体芯片，其通过使两个以上半导体芯片单元彼此接合而形成，并且在该层叠半导体芯片中，至少在第一半导体芯片单元中形成有像素阵列和多层布线层并在第二半导体芯片单元中形成有逻辑电路和多层布线层；半导体除去区，在该半导体除去区中，所述第一半导体芯片单元的一部分的半导体部被全部除去；以及多个连接布线，它们形成于所述半导体除去区中，并且用于将所述第一半导体芯片单元和所述第二半导体芯片单元彼此连接。

专利地区：日本