低插损铁氧体微波器件及其铁氧体加工方法专利登记公告
专利名称:低插损铁氧体微波器件及其铁氧体加工方法
摘要:一种低插损铁氧体微波器件及其铁氧体加工方法,属微波器件技术领域,所解决的技术问题是降低插损。该低插损铁氧体微波器件,包括铁氧体器件本体,其特征在于:所述铁氧体器件本体的一个侧面上涂有一层金属银涂层。其加工方法为:1)将铁氧体待涂银层的侧面朝向上方,用丝网平贴所述铁氧体表面;2)将由银粉和环氧树脂组成的含银浆料涂覆在所述铁氧体表面上,构成均匀的厚度为0.002±0.0005mm金属银涂层;3)150℃焙烘0.5~1小时后,再高温烧结使金属银涂层固化。将银浆在铁氧体表面薄薄涂覆一层,能将插损降至0.2dB以下
专利类型:发明专利
专利号:CN201110407710.2
专利申请(专利权)人:捷考奥电子(上海)有限公司
专利发明(设计)人:黄宁;朱洁文
主权项:一种低插损铁氧体微波器件,包括铁氧体器件本体,其特征在于:所述铁氧体器件本体的一个侧面上涂有一层金属银涂层。
专利地区:上海
关于上述专利公告申明 : 上述专利公告转载自国家知识产权局网站专利公告栏目,不代表该专利由我公司代理取得,上述专利权利属于专利权人,未经(专利权人)许可,擅自商用是侵权行为。如您希望使用该专利,请搜索专利权人联系方式,获得专利权人的授权许可。