磁场传感器专利登记公告

专利名称：磁场传感器

摘要：一种传感器电路，其配置为在易受未对准或移动影响的条件下操作。根据各种示例性实施方式，一种对准容错传感器配置包括参考部件以及第一磁性传感器和第二磁性传感器。参考部件根据该参考部件的位置影响磁场，例如通过磁性类型的部件的定位。第一磁性传感器与第一磁场敏感方向对准并对该磁场的存在表现出电响应。第二磁性传感器与第二磁场敏感方向对准并对该磁场的存在表现出电响应。第一磁场敏感方向和第二磁场敏感方向彼此偏移，以便于以参考部件与第一磁性传感器和第二磁性传感器之间的不同相对对准检测磁场。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110412381.0

专利申请（专利权）人：NXP股份有限公司

专利发明（设计）人：罗伯特·H·M·范费尔德温

主权项：一种磁场传感器配置，包括：参考部件，配置为根据参考部件的位置影响磁场；第一磁性传感器，与第一磁场敏感方向对准并配置为对该磁场的存在表现出电响应；和第二磁性传感器，与第二磁场敏感方向对准并配置为对该磁场的存在表现出电响应，第一磁场敏感方向和第二磁场敏感方向彼此偏移，以便于以参考部件与第一磁性传感器和第二磁性传感器之间的不同相对对准检测磁场。

专利地区：荷兰