记忆单元库的单元分析方法专利登记公告

专利名称：记忆单元库的单元分析方法

摘要：本发明提供记忆单元库的单元分析方法，以分析用来产生布局的记忆单元库的单元。一个例示方法涉及针对该布局内该单元的各个实例，决定该单元的接脚在该布局内所利用的绕线连接位置。该方法继续根据该多个绕线连接位置及该单元的多个可能连接位置，决定该单元的该接脚的利用测度，并将该利用测度显示在显示装置上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110417209.4

专利申请（专利权）人：格罗方德半导体公司

专利发明（设计）人：J·B·格莱特

主权项：一种分析用以产生布局的记忆单元库的单元的方法，包含：针对该布局内该单元的各个实例，为该单元的接脚决定在该布局中所利用的个别绕线连接位置，以产生多个绕线连接位置；根据该多个绕线连接位置及该接脚的多个可能的连接位置，决定该单元的该接脚的利用测度；以及显示该利用测度于显示装置上。

专利地区：英国