磁阻角度传感器专利登记公告

专利名称：磁阻角度传感器

摘要：本发明涉及磁阻角度传感器。公开了磁阻角度传感器、传感器系统和方法。在一个实施例中，一种磁阻角度传感器包括：第一多个导体，彼此平行布置在第一平面中以形成第一阵列；第二多个导体，彼此平行布置在第二平面中以形成第二阵列，所述第二平面与所述第一平面不同且间隔开，并且所述第二多个导体关于所述第一多个导体正交布置；以及至少一个磁阻元件，安置在所述第一平面与所述第二平面之间。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110420065.8

专利申请（专利权）人：英飞凌科技股份有限公司

专利发明（设计）人：U.奥瑟莱希纳

主权项：一种磁阻角度传感器，包括：第一多个导体，彼此平行布置在第一平面中以形成第一阵列；第二多个导体，彼此平行布置在第二平面中以形成第二阵列，所述第二平面与所述第一平面不同且间隔开，并且所述第二多个导体关于所述第一多个导体正交布置；以及至少一个磁阻元件，安置在所述第一平面与所述第二平面之间。

专利地区：德国