非易失性存储器件专利登记公告

专利名称：非易失性存储器件

摘要：本发明提供一种非易失性存储器件，包括：第一存储体，所述第一存储体包括多个第一页缓冲器；第二存储体，所述第二存储体包括多个第二页缓冲器；以及地址计数器，所述地址计数器被配置为在执行读取操作的时段内在第一时刻之前响应于时钟对第一地址和第二地址计数，并且在第一时刻之后响应于存储体地址对第一地址和第二地址计数，其中，第一页缓冲器的数据是响应于第一地址而顺序地输出的，第二页缓冲器的数据是响应于第二地址而顺序地输出的。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110420077.0

专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司

专利发明（设计）人：金珉秀

主权项：一种非易失性存储器件，包括：第一存储体，所述第一存储体包括多个第一页缓冲器；第二存储体，所述第二存储体包括多个第二页缓冲器；以及地址计数器，所述地址计数器被配置为在执行读取操作的时段内在第一时刻之前响应于时钟对第一地址和第二地址计数，并且在所述第一时刻之后响应于存储体地址对所述第一地址和所述第二地址计数，其中，所述第一页缓冲器的数据是响应于所述第一地址而顺序地输出的，所述第二页缓冲器的数据是响应于所述第二地址而顺序地输出的。

专利地区：韩国