一种基于电荷环境调控的纳米二氧化硅粒子表面改性方法及应用专利登记公告

专利名称：一种基于电荷环境调控的纳米二氧化硅粒子表面改性方法及应用

摘要：本发明公开了一种基于电荷环境调控的纳米二氧化硅粒子表面改性方法和应用，按照下述步骤进行：称取100重量份纳米SiO2，加入到含有0.1-0.5重量份的四正辛基溴化铵的二甲苯溶液中，充分搅拌分散后加入0.1-3重量份的硅烷偶联剂，超声分散后将分散好的悬浮液在沸腾状态下恒温反应，待反应结束后进行后续处理，得到电荷环境调控下硅烷偶联剂改性的纳米SiO2。利用这种方法改性的SiO2粒子由于表面带上了具有不饱和双键的有机物，提高其在高分子基体中的分散性，加入到高聚物聚合体系中，可以极大地提高聚合物基体的各项性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110425025.2

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：郑俊萍;王佩佩;苏强;单佳慧

主权项：一种基于电荷环境调控的纳米二氧化硅粒子表面改性方法，其特征在于，按照下述步骤进行：称取100重量份纳米SiO2，加入到含有0.1?0.5重量份的四正辛基溴化铵(TOAB)的二甲苯溶液中，充分搅拌分散后加入0.1?3重量份的硅烷偶联剂，超声分散后将分散好的悬浮液在沸腾状态下恒温反应，待反应结束后进行后续处理，得到电荷环境调控下硅烷偶联剂改性的纳米SiO2。

专利地区：天津