用于再生氢传感器的方法和装置专利登记公告
专利名称：用于再生氢传感器的方法和装置
摘要：本发明涉及用于再生氢传感器的方法和装置。再生方法涉及氢传感器，所述传感器包括栅极被钯催化剂覆盖的MOS型晶体管并被置入低压腔内。在检测到泄漏后，通过电子电路向述晶体管的所述栅极上施加电压，从而再生催化剂。所述电子电路包括：低频DC发生器和用于进行“测量”模式与“再生”模式的互相转换的开关。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110425258.2
专利申请（专利权）人：阿迪森真空产品公司
专利发明（设计）人：K·帕特尔;D·皮埃尔让
主权项：一种用于再生氢传感器的方法，所述传感器包括栅极被钯催化剂覆盖的MOS型晶体管并被置入具有低于5000Pa的压力的腔内，在检测到泄漏后，通过电子电路向所述晶体管的所述栅极施加电压，从而再生所述催化剂。
专利地区：法国
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