用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法专利登记公告

专利名称：用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法

摘要：本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C?1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C?1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件

专利类型：发明专利

专利号：CN201110425397.5

专利申请（专利权）人：第一毛织株式会社

专利发明（设计）人：林相学;金奉焕;吴正堈;郭泽秀;裵镇希;尹熙灿;韩东一;金相均;李真旭

主权项：一种用于形成硅基绝缘层的组合物，包括：氢化聚硅氧硅氮烷，其包括以下化学式1表示的部分和以下化学式2表示的部分，并且具有1ppm或更低的氯浓度：<化学式1><化学式2>在化学式1和2中，R1至R7各自独立地为氢、取代或未取代的C1至C30烷基、取代或未取代的C3至C30环烷基、取代或未取代的C6至C30芳基、取代或未取代的C7至C30芳烷基、取代或未取代的C1至C30杂烷基、取代或未取代的C2至C30杂环烷基、取代或未取代的C2至C30烯基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的羰基、羟基或它们的组合，条件是

专利地区：韩国