非易失性存储器件及其高速缓存编程方法专利登记公告
专利名称：非易失性存储器件及其高速缓存编程方法
摘要：本发明提供一种非易失性存储器件的高速缓存编程方法，包括以下步骤：将当前编程操作的数据编程到存储器单元阵列中；判断当前编程操作是否已执行到编程完成的阈值点；以及在当前编程操作已执行到编程完成的阈值点时接收下一个编程操作的数据。
专利类型：发明专利
专利号：CN201110426284.7
专利申请（专利权）人：海力士半导体有限公司
专利发明（设计）人：金有声;朴世泉
主权项：一种非易失性存储器件的高速缓存编程方法，包括以下步骤：将当前编程操作的数据编程到存储器单元阵列中；判断所述当前编程操作是否已执行到编程完成的阈值点；以及在所述当前编程操作已执行到所述编程完成的阈值点时接收下一个编程操作的数据。
专利地区：韩国
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