MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法专利登记公告

专利名称：MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法

摘要：MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法，属于光电子信息领域，主要用于产生低偏压、高响应的日盲光敏电阻器。解决了大组份Mg的MgZnO制备的相分离问题。MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长第一层MgxZn1-xO过渡层、第二层MgyZn1-yO过渡层、高组份Mg的MgZZn1-ZO薄膜和电极。步骤一?将清洗过的R面蓝宝石衬底传入MBE预生长室；步骤二R面蓝宝石衬底在预生长室750-850℃处理15-30分钟；步骤三R面蓝宝石衬底传入生长室，在生长温度400-500℃下生长第一层2-10nm厚

专利类型：发明专利

专利号：CN201110427751.8

专利申请（专利权）人：北京交通大学

专利发明（设计）人：张希清;刘凤娟;胡佐富;黄海琴;王永生

主权项：一种MgZnO日盲光敏电阻器，其特征在于：MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长低组份Mg的第一层MgxZn1?xO过渡层、第二层MgyZn1?yO过渡层、高组份Mg的MgZZn1?ZO薄膜和电极。

专利地区：北京