电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列及其制备方法专利登记公告

专利名称：电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列及其制备方法

摘要：本发明公开一种电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列及其制备方法，包括：微电极阵列结构层、电极电路层和微电极阵列覆盖层，电极电路层中设置有至少两列紧密排列且达到微加工精度间距的电极点，所述至少两列紧密排列的电极点切割为两个能相对滑动的模块，即第一和第二微电极阵列模块，这两模块相对滑动时形成更小的电极点间距。本发明利用两个模块相对滑动过程中，对于特定寻址的电极点，其电极点间距会最小变为原来的0.866倍，得到更高的分辨率，进而获得更好的电生理采集与刺激效果。另外，通过适当的滑动距离，还可以增大电极点间距，使

专利类型：发明专利

专利号：CN201110428382.4

专利申请（专利权）人：上海交通大学

专利发明（设计）人：刘景全;康晓洋;田鸿昌;杨春生

主权项：一种电极点间距可超过微加工精度的微电极阵列，包括：依次设置并组成复合结构的微电极阵列结构层、电极电路层和微电极阵列覆盖层，所述微电极阵列覆盖层与待测组织直接接触，电极电路层中设置有至少两列紧密排列且达到微加工精度间距的电极点，其特征在于，所述至少两列紧密排列的电极点切割为两个能相对滑动的模块，即第一微电极阵列模块和第二微电极阵列模块，这两模块相对滑动时形成更小的电极点间距。

专利地区：上海