沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件专利登记公告

专利名称：沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件

摘要：公开了一种沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件。该器件包括：衬底；外延层；沟槽；第一绝缘层，其覆盖所述沟槽的下部分内表面；第二绝缘层，其覆盖所述沟槽的上部分内表面和所述第一绝缘层，其中，所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度；多晶硅区域，位于所述沟槽内，且下表面被所述第一绝缘层覆盖，其侧壁被所述第一绝缘层或第二绝缘层覆盖；栅极，其侧壁和下表面被所述第二绝缘层覆盖；至少一个柱状结构，位于所述外延层内，且其侧壁和下表面被所述外延层覆盖，其中，所述至少一个柱状结构沿外延层纵向排列；体区；重掺杂区域和源极。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110428855.0

专利申请（专利权）人：成都芯源系统有限公司

专利发明（设计）人：张磊;唐纳德·R·迪斯尼;李铁生;马荣耀

主权项：一种沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管器件，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，位于所述衬底上，且其掺杂浓度小于所述衬底的掺杂浓度；沟槽，从所述外延层的上表面垂直向所述外延层的下表面延伸，且其未接触所述衬底的表面；第一绝缘层，位于所述沟槽内，且覆盖所述沟槽的下部分内表面；第二绝缘层，位于所述沟槽内，且覆盖所述沟槽的上部分内表面和所述第一绝缘层，其中，所述第二绝缘层的厚度小于所述第一绝缘层的厚度；多晶硅区域，位于所述沟槽内，且下表面被所述第一绝缘层覆盖，其侧壁被所述第一绝缘层或第二绝缘层覆盖；栅极

专利地区：四川