半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法

摘要：本发明的名称是“半导体器件及其制造方法”。本发明的目的是提供适于新用法的器件，通过使用半导体器件(如根据性能的RFID标签)而在不接触的条件下发送和接收数据，以减少使用者的负担，并提高便利性。所提供的半导体器件具有包含晶体管的运算处理电路、用作天线的导电层、具有检测物理量和化学量方法的检测单元以及存储被检测单元检测到的数据的存储单元，以及用保护层来覆盖运算处理电路、导电层、检测单元和存储单元。另外，在不接触的条件下通过为人类、动物和植物等提供这样的半导体器件，可监视和控制不同的信息。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110430281.0

专利申请（专利权）人：株式会社半导体能源研究所

专利发明（设计）人：野田由美子;荒井康行;渡边康子;守屋芳隆;山崎舜平

主权项：一种用于获得活体上的信息的方法，所述方法包括：提供附着在所述活体上的半导体器件；以及使用读写器读出所述活体上的信息；其中所述信息由所述半导体器件检测，其中所述半导体器件包括：至少包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的晶体管元件，各晶体管在衬底之上提供；在所述晶体管元件之上提供的检测元件，以及所述检测元件与第一晶体管电连接；在所述晶体管元件之上提供的存储元件，以及所述存储元件与第二晶体管电连接；以及在所述晶体管元件之上提供的用作天线的第一导电层，以及所述第一导电层与第三晶体管电连接，其中，所述第一晶体管包

专利地区：日本