形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法专利登记公告

专利名称：形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法

摘要：本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110430768.9

专利申请（专利权）人：第一毛织株式会社

专利发明（设计）人：尹熙灿;郭泽秀;金奉焕;裵镇希;吴正堈;林相学;韩东一;金相均;李真旭

主权项：一种用于形成硅氧层的组合物，包含：选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷、以及它们的组合中的一种，其中，折算为聚苯乙烯时，基于所述氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总量，重均分子量大于或等于50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于0.1wt％。

专利地区：韩国