水溶性CdS一维半导体纳米带及其制备方法专利登记公告

专利名称：水溶性CdS一维半导体纳米带及其制备方法

摘要：本发明公开了一种水溶性CdS一维半导体纳米带及其制备方法。该CdS纳米带具有多晶结构，其宽度为50～200nm，厚度为10～20nm，长度为几微米到几十微米，样品中Cd、S元素的原子百分比接近1∶1。其制备过程包括：将CdCl2·2.5H2O和巯基乙酸配成A溶液；将KBH4和Te粉配成B溶液；按Cd与Te摩尔比将两种溶液混合，将混合液加热，搅拌回流反应得到量子点溶液；向所得量子点溶液加入乙醇沉淀，沉淀物重新溶于NaOH溶液中，自组装成CdS纳米带。本发明制备的CdS纳米带具有水溶性好、结晶度高、产物纯净等

专利类型：发明专利

专利号：CN201110431478.6

专利申请（专利权）人：天津大学

专利发明（设计）人：封伟;雷达;沈永涛

主权项：一种水溶性CdS一维半导体纳米带，该CdS纳米带是由CdTe纳米粒子中的Te2?缓慢氧化而得到的CdS纳米晶自组装形成，其特征在于，该CdS一维半导体纳米带具有多晶结构，其宽度为50～200nm，厚度为10～20nm，长度为几微米到几十微米，样品中Cd、S元素的原子百分比接近1∶1。

专利地区：天津