一种低温多晶硅显示装置及其制作方法专利登记公告

专利名称：一种低温多晶硅显示装置及其制作方法

摘要：本发明公开了一种低温多晶硅显示装置及其制作方法，包括：在基板之上方形成金属屏蔽层；在金属屏蔽层之上方形成与金属屏蔽层绝缘的多晶硅层；在多晶硅层之上方分别形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层，并且使所述像素电极层与多晶硅层电连接，使公共电极层与金属屏蔽层电连接。通过上述方式，本发明能够降低公共电极层的阻值，减少因为公共电极层的电阻值过大引起的延迟效应，减少一次掩膜板的使用，减少完成一次工艺流程的时间，降低成本，提高产能。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110433171.X

专利申请（专利权）人：深圳市华星光电技术有限公司

专利发明（设计）人：周秀峰

主权项：一种低温多晶硅显示装置的制作方法，其特征在于，包括：在基板之上方形成金属屏蔽层；在所述金属屏蔽层之上方形成与金属屏蔽层绝缘的多晶硅层；在所述多晶硅层之上方分别形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层，并且使所述像素电极层与多晶硅层电连接，使公共电极层与金属屏蔽层电连接。

专利地区：广东