聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池及其制备方法专利登记公告

专利名称：聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池及其制备方法

摘要：一种聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池，包括：一Al/Si合金背电极；一p+背接触层，位于Al/Si合金背电极的上面；一p型晶硅材料层，位于p+背接触层的上面；一n+接触层，位于p型晶硅材料层的上面，该n+接触层的上面开有硅纳米孔阵列；一SiO2钝化层，位于开有硅纳米孔阵列的n+接触层的表面；一前电极，横竖交叉形成于n+接触层上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110435947.1

专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所

专利发明（设计）人：韩伟华;陈艳坤;李小明;杨富华

主权项：一种聚光硅纳米孔阵列结构太阳能电池，包括：一Al/Si合金背电极；一p+背接触层，位于Al/Si合金背电极的上面；一p型晶硅材料层，位于p+背接触层的上面；一n+接触层，位于p型晶硅材料层的上面，该n+接触层的上面开有硅纳米孔阵列；一SiO2钝化层，位于开有硅纳米孔阵列的n+接触层的表面；一前电极，横竖交叉形成于n+接触层上。

专利地区：北京