一种纳米氧化锌薄膜及氧化锌/氧化铜半导体材料的制备方法专利登记公告

专利名称：一种纳米氧化锌薄膜及氧化锌/氧化铜半导体材料的制备方法

摘要：本发明公开了一种纳米氧化锌薄膜的制备方法，1)取表面具有锌的锌基材，表面清洗或除氧化皮，备用；2)配制浓度为0.05mol/L～饱和的铜盐溶液，将锌基材放入铜盐溶浸润1秒～1分钟，取出自然干燥；3)将浸润后的锌基材在400～550℃在含氧气氛中保温30分钟～48小时，得到表面具有纳米墙结构的纳米氧化锌薄膜。本发明通过在锌基体表面沉积一层疏松的铜，然后在含氧气氛中进行热氧化，得到由ZnO纳米墙构成的玫瑰花结构，同时也能制备出ZnO/CuO?n-p半导体结构。该方法不仅具有环境污染小、设备简单、制备成本低的特

专利类型：发明专利

专利号：CN201110437065.9

专利申请（专利权）人：河南科技大学

专利发明（设计）人：徐春花;王俊鹏;李炎;刘玉亮;李萍;李香利

主权项：一种纳米氧化锌薄膜的制备方法，其特征在于：其步骤如下：1)取表面具有锌的锌基材，表面清洗或除氧化皮，备用；2)配制浓度为0.05mol/L～饱和的铜盐溶液，将锌基材放入铜盐溶浸润1秒～1分钟，取出自然干燥；3)将浸润后的锌基材在400～550℃在含氧气氛中保温30分钟～48小时，得到表面具有纳米墙结构的纳米氧化锌薄膜。

专利地区：河南