发光二极管结构专利登记公告

专利名称：发光二极管结构

摘要：本发明涉及一种发光二极管结构，其包含一基板、一第一半导体层、一第一金属电极、一第二半导体层、一导电层与一第二金属电极与至少一透光导电延伸件，其揭示该透光导电延伸件设于导电层上方并与第二金属电极相接设，透光导电延伸件的材料为一导电材料。通过透光导电延伸件可减少发光二极管所发的光线被遮蔽或吸收的情形，亦可让电流均匀分布，进而提高发光二极管的发光效率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110438718.5

专利申请（专利权）人：新世纪光电股份有限公司

专利发明（设计）人：黄靖恩;罗信汯;林子晹

主权项：一种发光二极管结构，其特征在于，包含：一基板；一第一半导体层，设于该基板上方；一第一金属电极，设于该第一半导体层上方；一第二半导体层，设于该第一半导体层上方并与该第一金属电极相邻；一导电层，设于该第二半导体层上方；一第二金属电极，设于该导电层上方；以及至少一透光导电延伸件，设于该导电层上方并与该第二金属电极相接设。

专利地区：台湾